3d 打印文章最新資訊

SoC 集成度如何影響 SMT 貼片良率

本文詳解 SoC 系統(tǒng)級芯片集成度對 SMT 貼片良率的影響，涵蓋細(xì)間距 BGA 工藝難題、封裝翹曲、回流焊溫度曲線優(yōu)化以及檢測管控策略。系統(tǒng)級芯片 SoC 存在明顯的矛盾特性：它能簡化整機(jī)電路原理圖，卻大幅增加貼片組裝難度。將 CPU、GPU、內(nèi)存等完整計(jì)算架構(gòu)集成到單顆裸片內(nèi)部，雖然減少了整機(jī)元器件數(shù)量，但也讓焊點(diǎn)互聯(lián)工藝難度大幅提升。從常規(guī) 0.8mm 間距器件升級到 0.35mm 細(xì)間距 SoC，制造工藝窗口被極度壓縮。在超高密貼片場景中，一次貼片良率（FPY）不只是一項(xiàng)指標(biāo)，更是直接決定生產(chǎn)盈
關(guān)鍵字： SoC 系統(tǒng)級芯片 SMT 貼片良率 BGA 細(xì)間距封裝翹曲回流焊曲線 IPC-7525 鋼網(wǎng)開孔面積比枕形虛焊 HiP 潤濕不良開路 NWO 焊點(diǎn)空洞 3D X-Ray 檢測氮?dú)饣亓?/a> 盤中過孔封孔 POFV

多材料3D打印機(jī)“現(xiàn)場”制造整臺電動機(jī)

增材制造（3D 打?。┑捏@人進(jìn)步已耳熟能詳，它可以使用一長串材料制造大大小小的物件。其中一些物件可按需復(fù)刻現(xiàn)有零件，另一些則是采用鍛造、機(jī)加工、注塑、鑄造、擠壓、化學(xué)蝕刻等任何標(biāo)準(zhǔn)制造工藝都無法生產(chǎn)的結(jié)構(gòu)。麻省理工學(xué)院（MIT）的一組研究人員現(xiàn)已開發(fā)出一個(gè)多材料 3D 打印平臺，可一步到位完整打印出電氣設(shè)備（圖 1）。圖 1 本研究開發(fā)的多模式、多材料擠出系統(tǒng)集成工具：(a) E3D Hemera 絲材擠出機(jī)；(b) 帶定制 3D 打印部件、兼容 E3D ToolChanger 的 Mahor v4 顆粒
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多裸片芯片設(shè)計(jì)中凸點(diǎn)與硅通孔的高效規(guī)劃方案

近年來半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展迅猛，尤其是高性能計(jì)算、人工智能和先進(jìn)汽車系統(tǒng)的需求持續(xù)攀升，傳統(tǒng)單裸片芯片設(shè)計(jì)已難以滿足當(dāng)下的功耗、性能、面積（PPA）指標(biāo)要求。為此，工程師們開始采用多裸片架構(gòu)，將多個(gè)小尺寸裸片集成在單個(gè)封裝中。該架構(gòu)雖提升了芯片的可擴(kuò)展性與性能，卻也帶來了新的挑戰(zhàn)，其中互連規(guī)劃問題尤為突出。而實(shí)現(xiàn)不同裸片間的通信，凸點(diǎn)與硅通孔（TSV）的高效規(guī)劃，是多裸片集成過程中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。（圖 1：基于電子表格的凸點(diǎn)規(guī)劃示意圖）在多裸片設(shè)計(jì)中，芯片間的互連通過布置在裸片表面的微凸點(diǎn)或混合鍵合焊盤實(shí)現(xiàn)，這
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長江存儲進(jìn)入加速期，三期項(xiàng)目計(jì)劃今年建成投產(chǎn)

近日，長江存儲三期項(xiàng)目正在安裝巨型潔凈廠房設(shè)備，項(xiàng)目負(fù)責(zé)人透露，計(jì)劃今年建成投產(chǎn)。湖北省委書記王忠林來到長江存儲三期項(xiàng)目建設(shè)現(xiàn)場三期擴(kuò)產(chǎn)與未來目標(biāo)長江存儲成立于2016年7月，是我國存儲芯片制造領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，主要為市場提供3D NAND閃存晶圓及顆粒，嵌入式存儲芯片以及消費(fèi)級、企業(yè)級固態(tài)硬盤等產(chǎn)品和解決方案。2021年12月，長江存儲二期科技有限責(zé)任公司成立，注冊資本600億元。2025年9月，長存三期（武漢）集成電路有限責(zé)任公司成立，注冊資本達(dá)207.2億元?——?由長江存儲持股5
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Material公司的電池為每個(gè)角落提供電力

動力強(qiáng)勁的 F1 賽車、穿梭飛行的無人機(jī)、士兵的單兵背包、智能可穿戴設(shè)備，這些產(chǎn)品有著一個(gè)共同點(diǎn)：都需要電池供電。理想狀態(tài)下，電池能精準(zhǔn)適配各類不規(guī)則的邊角、曲面與空隙，但如今的圓柱或方形電池電芯卻難以實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。曾參與設(shè)計(jì)梅賽德斯 - AMG 馬石油車隊(duì)賽車、助力該車隊(duì)拿下七連冠的工程師 Gabe Elias，聯(lián)合創(chuàng)立了一家初創(chuàng)企業(yè)，推出電池 3D 打印技術(shù) —— 可將電池直接打印在設(shè)備表面，填充各類設(shè)備和交通工具中的閑置空間。該公司近期與美國空軍簽下一份價(jià)值 125 萬美元、為期 18 個(gè)月的合同，旨
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Metalens 提升顯微 3D 打印精度

借助使“隱形斗篷”成為可能的光扭曲技術(shù)，科學(xué)家們開發(fā)出一種既能實(shí)現(xiàn)微觀細(xì)節(jié)又能實(shí)現(xiàn)高通量的新型3D打印技術(shù)。研究人員建議，他們的新技術(shù)有望實(shí)現(xiàn)復(fù)雜納米級結(jié)構(gòu)的大規(guī)模生產(chǎn)。潛在應(yīng)用包括藥物遞送和核聚變研究。目前，3D打印復(fù)雜微觀特征最精確的方法是雙光子光刻。該技術(shù)使用液態(tài)樹脂，只有當(dāng)樹脂中的感光分子同時(shí)吸收兩個(gè)光子而非一個(gè)光子時(shí)才會凝固。雙光子光刻技術(shù)使得體素——相當(dāng)于像素的三維結(jié)構(gòu)——體積僅幾十納米的器件成為可能。然而，雙光子光刻技術(shù)在大規(guī)模實(shí)際應(yīng)用中被證明過于緩慢。這在很大程度上使其成為實(shí)驗(yàn)
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長江存儲對美國國防部、商務(wù)部發(fā)起訴訟

據(jù)路透社消息，中國NAND閃存制造商長江存儲已就其被列入“實(shí)體清單”一事分別向美國國防部、美國商務(wù)部發(fā)起了訴訟。12月5日，長江存儲于美國華盛頓聯(lián)邦法院對美國防部提起訴訟，要求法官阻止國防部將公司列入所謂“涉軍名單”并撤銷這一認(rèn)定。長江存儲成立于2016年7月，是國內(nèi)專注于3D NAND閃存及存儲器解決方案的半導(dǎo)體集成電路廠商，旗下有零售存儲品牌致態(tài)。長江存儲以1600億元的估值成功入圍了胡潤研究院最新發(fā)布的《2025全球獨(dú)角獸榜》，位列中國十大獨(dú)角獸第9、全球第21，成為半導(dǎo)體行業(yè)估值最高的新晉獨(dú)角獸。
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算力巨頭入局 EDA、頭部晶圓廠押3D IC EDA新范式

近日，英偉達(dá)宣布入股新思科技，并開啟多年深度合作，引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。作為一家以算力和應(yīng)用見長的芯片公司，為什么要親自“下場”綁定一家 EDA 工具商？與之相呼應(yīng)的是，臺積電早已與楷登電子在先進(jìn)制程與 3D 封裝上形成緊密合作，把工藝規(guī)則直接嵌入設(shè)計(jì)工具之中。這一系列動作清晰地揭示了一個(gè)深層趨勢：在摩爾定律逼近極限、先進(jìn)封裝成為算力增長核心引擎的今天，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競爭范式正從單一的制程競賽，轉(zhuǎn)向系統(tǒng)級的協(xié)同優(yōu)化。想要繼續(xù)提升性能、控制成本，就必須實(shí)現(xiàn)“工藝 + EDA + 設(shè)計(jì)”的深度協(xié)同，而
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IEEE Wintechon 2025 通過數(shù)據(jù)、多樣性與協(xié)作驅(qū)動印度半導(dǎo)體未來

第六屆IEEE WINTECHCON 2025于2025年11月12日至13日，召集了800多名女性工程師、技術(shù)專家、行業(yè)領(lǐng)袖、學(xué)術(shù)界、學(xué)生和研究人員，主題為“以數(shù)據(jù)驅(qū)動的半導(dǎo)體創(chuàng)新改變未來”。今年，該會議由IEEE班加羅爾分會、IEEE計(jì)算機(jī)科學(xué)學(xué)會班加羅爾分會和Women in Engineering AG班加羅爾分會聯(lián)合主辦，由三星半導(dǎo)體印度研究院（SSIR）主辦。IEEE班加羅爾分會主席Chandrakanta Kumar博士表示：“IEEE Wintechcon 2025展示了印度半導(dǎo)體創(chuàng)新引擎
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量子傳感器初創(chuàng)公司尋找三維芯片的缺陷

芯片制造商正越來越多地采用晶體管層堆疊技術(shù)，在有限空間內(nèi)集成更強(qiáng)計(jì)算能力。然而，當(dāng)前用于檢測可能導(dǎo)致 3D 芯片失效的深埋缺陷的技術(shù)，要么效果不佳，要么具有破壞性。不過，一家初創(chuàng)公司表示，基于人造鉆石的新型量子傳感器有望幫助代工廠在生產(chǎn)過程中快速捕捉這些隱藏缺陷，且不會對芯片造成損壞，這可能為行業(yè)節(jié)省數(shù)十億美元成本。馬里蘭州大學(xué)公園市量子技術(shù)公司 EuQlid 的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官 Sanjive Agarwala 表示：“芯片中電流傳輸所依賴的互連結(jié)構(gòu)若存在缺陷 —— 無論是金屬沉積不當(dāng)、硅片裂紋還
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3D-IC將如何改變芯片設(shè)計(jì)

專家在座：半導(dǎo)體工程與西門子 EDA 產(chǎn)品管理高級總監(jiān) John Ferguson 坐下來討論 3D-IC 設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)以及堆疊芯片對 EDA 工具和方法的影響;Mick Posner，Cadence 計(jì)算解決方案事業(yè)部 IP 解決方案小芯片高級產(chǎn)品組總監(jiān);莫維盧斯的莫·費(fèi)薩爾;是德科技新機(jī)會業(yè)務(wù)經(jīng)理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺產(chǎn)品管理高級總監(jiān) Amlendu Shekhar Choubey。本討論的第 1 部分在這里，第 2&
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長江存儲全面完成股改，估值已超1600億元

總部位于武漢的長江存儲科技控股有限責(zé)任公司（長存集團(tuán)）召開股份公司成立大會并選舉首屆董事會，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤研究院最新發(fā)布的《2025全球獨(dú)角獸榜》中，長江存儲以1600億元估值首次入圍，位列中國十大獨(dú)角獸第9、全球第21，成為半導(dǎo)體行業(yè)估值最高的新晉獨(dú)角獸。根據(jù)公開信息，2025年4月，養(yǎng)元飲品子公司泉泓、農(nóng)銀投資、建信投資、交銀投資、中銀資產(chǎn)、工融金投等15家機(jī)構(gòu)同步參與；7月，長存集團(tuán)新增股東員工持股平臺 —— 武漢市智芯計(jì)劃一號至六號企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），上述兩筆
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第一次深入真正的3D-IC設(shè)計(jì)

專家在座：半導(dǎo)體工程坐下來討論了對 3D-IC 的初步嘗試以及早期采用者將遇到的問題，西門子 EDA 產(chǎn)品管理高級總監(jiān) John Ferguson;Mick Posner，Cadence 計(jì)算解決方案事業(yè)部 IP 解決方案小芯片高級產(chǎn)品組總監(jiān);莫維盧斯的莫·費(fèi)薩爾;是德科技新機(jī)會業(yè)務(wù)經(jīng)理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺產(chǎn)品管理高級總監(jiān) Amlendu Shekhar Choubey。從左到右：是德科技的 Mueth;Synopsys 的
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國產(chǎn)廠商切入下一代存儲技術(shù)：3D DRAM

隨著 ChatGPT 等人工智能應(yīng)用的爆發(fā)式增長，全球?qū)λ懔Φ男枨笳灾笖?shù)級態(tài)勢攀升。然而，人工智能的發(fā)展不僅依賴于性能強(qiáng)勁的計(jì)算芯片，更離不開高性能內(nèi)存的協(xié)同配合。傳統(tǒng)內(nèi)存已難以滿足 AI 芯片對數(shù)據(jù)傳輸速度的要求，而高帶寬內(nèi)存（HBM）憑借創(chuàng)新的堆疊設(shè)計(jì)，成功攻克了帶寬瓶頸、功耗過高以及容量限制這三大關(guān)鍵難題，為 AI 應(yīng)用的高效運(yùn)行提供了重要支撐。但如今，傳統(tǒng) HBM 已經(jīng)受限，3D DRAM 能夠提供更高帶寬。同時(shí)還能進(jìn)一步優(yōu)化功耗表現(xiàn)，全球的存儲廠商也普遍將 3D
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汽車應(yīng)用3D-IC：利用人工智能驅(qū)動的EDA工具打破障礙

汽車行業(yè)正在經(jīng)歷重大變革，因?yàn)樗捎米詣玉{駛技術(shù)和超互聯(lián)生態(tài)系統(tǒng)等創(chuàng)新。這一變化的核心是對緊湊型、高性能半導(dǎo)體解決方案的需求不斷增長，這些解決方案能夠應(yīng)對日益復(fù)雜的現(xiàn)代汽車架構(gòu)。一項(xiàng)有前途的發(fā)展是三維集成電路（3D-IC），這是一種創(chuàng)新的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)方法，有可能重塑汽車市場。通過垂直堆疊多個(gè)芯片，3D-IC 提供卓越的性能、帶寬和能源效率，同時(shí)克服車輛系統(tǒng)的關(guān)鍵空間和熱限制。然而，盡管 3D-IC 具有潛力，但其設(shè)計(jì)和實(shí)施仍面臨重大挑戰(zhàn)。這就是人工智能驅(qū)動的電子設(shè)計(jì)自動化（EDA）工具發(fā)揮至關(guān)重要作用
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